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技術(shù)專題

PCB設(shè)計(jì)關(guān)于MEC及EMI總結(jié)


EMI指的是電子系統(tǒng)對外界所產(chǎn)生電磁輻射或干擾的強(qiáng)度。

EMC指的是對電子產(chǎn)品在電磁場方面干擾大?。‥MI)和抗干擾能力(EMS)。

電磁干擾、噪聲產(chǎn)生和信號傳輸不良是造成電子線路故障的主要原因。據(jù)估計(jì),由原型PCB電路的電磁干擾(EMI)引起的故障率高達(dá)50%。較差的電路設(shè)計(jì)是導(dǎo)致不必要電磁輻射或易感性的最終原因。5G的到來將進(jìn)一步推動未來幾年對無EMI PCB的需求。

下面我們探討PCB設(shè)計(jì)中如何避免MEI的產(chǎn)生和MEC兼容性問題:

一、 電源線布局

1、根據(jù)電源電流大小,計(jì)算出布線寬度,并盡可能加寬。

2、電源線和地線的方向應(yīng)與數(shù)據(jù)傳輸方向一致。

3、在電源的輸入端加上解耦電容,一般設(shè)置為10~100uF。

二、地線布局

1、數(shù)字地和模擬地進(jìn)行分離

數(shù)字地和模擬地最終要連接在一起,有四種方法解決此問題:①    用磁珠連接;②用電容連接;③用電感連接;④用0歐姆電阻連接。

磁珠,等效電路相當(dāng)于帶阻限波器,只對某個頻點(diǎn)的噪聲有抑制作用,使用時需要預(yù)先估計(jì)噪聲頻率,以便選用適當(dāng)型號。對于頻率不確定或無法預(yù)知的情況,用磁珠連接不合理。

電容,隔直通交,造成浮地,沒效果。

電感,體積較大,雜散參數(shù)多,不穩(wěn)定。

0歐電阻,相當(dāng)于很窄的電流通路,能夠有效地限制環(huán)路電流,使噪聲得到抑制。電阻在所有頻帶上都有衰減作用(0歐電阻也有阻抗),這點(diǎn)比磁珠強(qiáng)。

2、接地線盡量加寬或加厚,使其能通過計(jì)算出電流的3倍,一般我2~3mm。

3、地線應(yīng)盡量形成死循環(huán)回路,減小地線壓差。

三、解耦電容

1、為每個IC的VCC和GND都并聯(lián)一個0.01uF~0.1uF陶瓷電容。

2、抗噪聲能力弱、關(guān)斷電流變化大的器件,及ROM和RAM,在VCC和GND間并聯(lián)電容,進(jìn)行解耦。

3、單片機(jī)的Reset引腳加0.01uF解耦電容。

4、解耦電容的走線不能太長,特別是高頻旁路電容的走線。

5、電源的輸入端加上解耦電容,一般設(shè)置為10~100uF。

電源與集成電路之間的解耦電容有兩方面作用:①集成電路儲能電容;②繞過器件的高頻噪聲。

一般情況下,解耦電容的大小為C=1/F,F(xiàn)為數(shù)據(jù)傳輸頻率,0.1uF對應(yīng)10Mhz,0.01對應(yīng)100Mhz。典型的解耦電容是0.1uF,其分布電感典型值是5uH,并聯(lián)共振頻率是7Mhz。也就是說對10Mhz一下的噪聲有良好解耦效果,對于40Mhz以上的噪聲幾乎沒有什么作用。解耦電容的管教盡量短,長引腳會引起解耦電容自諧振。例如:當(dāng)1nF陶瓷貼片電容引腳長6.3mm時,其自諧振頻率是35Mhz,當(dāng)引腳長度我12.6mm時,自諧振頻率約為32Mhz。

四、器件布置

1、晶振、時鐘、CPU時鐘輸入端等盡量遠(yuǎn)離其他低頻器件;

2、大電流走線和信號走線盡量遠(yuǎn)離邏輯電路器件;

3、pcb電路板在機(jī)箱中運(yùn)行時,發(fā)熱器件盡量放在機(jī)箱的頂部。

五、PCB抗干擾設(shè)計(jì)

1、IO驅(qū)動線采用串聯(lián)電阻法,降低控制電路電位上下跳變速度,減少信號反射;

2、時鐘線的周圍用地線包裹,以及時鐘線盡量的短;

3、I/O驅(qū)動電路盡可能的靠近PCB板的邊緣,對進(jìn)入PCB板的信號進(jìn)行濾波,對來自高噪聲區(qū)的信號進(jìn)行濾波;

4、對未使用的門電路輸出端不應(yīng)掛起。未使用的運(yùn)放電路的正輸入接地,負(fù)輸入接在輸出端上;

5、盡量使用45度折線代替90度折線,減少高頻信號的外部傳輸和耦合;

6、采用垂直布線,垂直于I/O線的時鐘線小于平行于IO線的時鐘干擾;

7、元器件的引腳引線盡可能的短,降低耦合或干擾;

8、不要在石英晶振或易受干擾的器件下面布線;

9、不要在弱信號或低頻信號的周圍形成電流回路。

六、其它

1、總線加上10K上拉或下拉電阻,抗干擾比較好;

2、每個地址線的線長盡可能的短,抗干擾比較好;

3、對于2層PCB板,兩側(cè)的布線盡量垂直;

4、未使用的引腳通過上拉電阻(約10K)連接到GND或VCC引腳上;

5、發(fā)熱的元件盡量離開IC、晶振、電解電容等容易受到影響的器件;

6、抑制大功率器件對單片機(jī)等數(shù)字器件的干擾及數(shù)字電路對模擬電路的干擾,用高頻扼流線圈連接模擬地和數(shù)字地。

7、電源線、交流線、信號線要做到分離開。電源線和交流線盡量另布一個PCB板。

8、一個過孔引起大約0.6pF的電容,一個集成電路的封裝材料引起2-10pF的分布電容,一個接插件引起約有520uF的分布電感,一個雙列直插24引腳的集成電路插座引起4-18uF的分布電感。


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